氧化镓开辟了我们用现有半导体无法实现的新可能性
工业氧化铝是由铝矾土（Al2O3·3H2O）和硬水铝石制备的，对于纯度要求高的Al2O3，一般用化学方法制备。Al2O3有许多同质异晶体，已知的有10多种，主要有3种晶型，即α-Al2O3、β-Al2O3、γ-Al2O3。其中结构不同性质也不同，在1300℃以上的高温时几乎完全转化为α-Al2O3
LOSFIA在日本成功地证明了使用实现常关MOSFET 的可能性 。这是一项具有开创性的工作，因为生产常关MOSFET一直被认为较具挑战性。FLOSFIA计划制造刚玉（corundum，一种晶体结构）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，从TO-220中的肖特基势垒二极管（SBD）开始，然后是MOSFET。
五氧化二铌:化学式Nb2O5，分子量265.81，白色晶体，熔点1460℃，相对密度4.47，相对介电常数35-50，带隙3.4eV。受热至400℃颜色变黄，溶于氢氟酸、热硫酸及碱，不溶于水是稳定的氧化物。其水合物的化学式为Nb2O5· xH2O，受热分解，可溶于浓硫酸、浓盐酸、氢氟酸及强碱, 不溶于水及氨水，在空气中灼烧金属铌或由铌酸脱水可得。
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