宜昌金靶材

东莞市鼎伟靶材有限公司是专业生产高纯金属材料，蒸发镀膜材料以及溅射靶材的**企业应用开发的科技型民营股份制工贸有限公司。公司以青岛大学和青岛科技大学蒸发材料专业为技术依托，拥有多名中高级专业技术人员和专业化应用实验室，具有很强的蒸发材料开发能力。公司先后研发的蒸发材料、溅射靶材系列产品广泛应用到国内外众多**电子、太阳能企业当中，以较高的性价比，成功发替代了国外进口产品，颇受用户好评。
宜昌金靶材
东莞市鼎伟靶材有限公司
联系人：肖先生
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地址：东莞市南城区民间金融大厦
公司主要经营产品：



钯溅射靶材 (Pd)
铂溅射靶材 (Pt)
银溅射靶材 (Ag)
金溅射靶材 (Au)
铑溅射靶材 (Rh)
铱溅射靶材 (Ir)
钌溅射靶材 (Ru)
铱锰合金靶材(IrMn),钯银(PdAg)合金靶材,镍铂合金靶材（NiPt）
钴铬铂合金靶材(CoCrPt),钴铬铂硼合金靶材 (CoCrPtB)
铁铂合金靶材 (FePt) ,钴铂合金靶材 (CoPt)
金锗靶合金靶材(AuGe),金锗镍靶合金靶材（AuGeNi）
钯(Pd)蒸发材料颗粒、丝，线材，片等
铂(Pt)蒸发材料颗粒、丝，线材，片等
银(Ag)蒸发材料颗粒、丝，线材，片等
金(Au)蒸发材料颗粒、丝，线材，片等
铑(Rh)蒸发材料颗粒、丝，线材，片等
铱(Ir)蒸发材料颗粒、丝，线材，片等
钌(Ru)蒸发材料颗粒、丝，线材，片等


贵金属：金、银、铂、钌、铑、钯、锇、铱
高纯金：金靶、金粒、金丝、金电极、金片、金粉
纯度：3N 、3N5、4N、4N5、5NT(不是联系方式)
规格：金靶（平面圆靶，方靶，旋转靶，台阶靶均可加工，规格按客户要求定做）  金粒（规格Φ2*5mm,Φ2*10mm，其他规格定做）
 金丝（Φ0.2mm、Φ0.3mm、Φ0.5mm、Φ1mm其他规格定做）
 金片（根据客户要求定做）
 金粉（根据客户要求定做）




一、真空镀膜材料
1．高纯真空溅射靶材（99.9％——99.999％）
高纯金属靶材：锆靶Zr、铬靶Cr、钛靶Ti、铝靶Al、锡靶Sn、钒靶V、锑靶Sb、铟靶、硼靶B、钨靶W、锰靶Mn、铋靶Bi、铜靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、钽靶 Ta、锌靶Zn、镁靶Mg、铌靶Nb、钼靶Mo、钴靶Co、铁靶Fe、锗靶Ge、铪靶Hf、铅靶Pb、镍靶Ni、银靶Ag、硒靶Se、铍靶Be、碲靶Te、不锈钢靶材S.S等……
多元合金靶材： 钛铝靶Ti-Al、钛锆靶Ti-Zr、钛硅靶Ti-Si、钛镍靶Ti-Ni、镍铬靶Ni-Gr、镍铝靶Ni-Al、镍钒靶Ni-V、镍铁靶Ni-Fe、铁钴靶Fe-Co、铝硅靶Al-Si、钛硅靶Ti-Si、铬硅靶Cr-Si、锌铝靶Zn-Al、钛锌靶材Ti-Zn、铝硅铜靶Al-Si-Cu等……
陶瓷溅射靶材：ITO靶、单晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化钛靶TiO2、氧化锆靶ZrO2、二硼化钛靶TiB2、氧化镁靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二钇靶Y2O3、五氧化二钒靶V2O5、氧化锌靶ZnO、硫化锌靶ZnS、硫化钼靶MoS、硫化钨靶WS、氧化锌铝靶ZAO、氧化铝靶Al2O3、钛酸锶靶SrTiO3、五氧化二钽靶Ta2O5、五氧化二铌靶Nb2O5、氧化锌镓靶ZGO、氧化锌硼靶ZBO、砷化镓靶GaAs，磷化镓靶GaP，硒化锌靶、锰酸锂靶、镍钴酸锂靶、钽酸锂靶，铌酸锂靶、等…
稀土金属靶：镧靶、铈靶、镨靶、钕靶、钐靶、铕靶、钆靶、铽靶、镝靶、钬靶、铒靶、铥靶、镱靶、镥靶、钇靶等…
稀土氧化物靶：氧化镧靶、氧化铈靶、氧化镨靶、氧化钐靶、氧化铕靶、氧化钕靶、氧化钆靶、氧化铽靶、氧化镝靶、氧化钬靶、氧化铒靶、氧化铥靶、氧化镱靶、氧化镥靶
金属膜电阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu溅射靶材：
金属膜电阻器用靶材包括高阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、**低阻系列（ZYCD）。
2．高纯光学镀膜材料（99.99％——99.999％）
氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化钛、二氧化钛、三氧化二钛、五氧化三钛、二氧化锆、二氧化铪、二氧化铈、二钛酸镨、三氧化钨、五氧化二钽、五氧化二铌、三氧化二钪、三氧化二铝、三氧化二铟、氧化镱、氧化锌、氧化镁、氧化钆、氧化钐、氧化钕、氧化钙、氧化镨、氧化铋、氧化铬、氧化镍、氧化铜、氧化铁、氧化钒等…
氟化物：氟化镁、氟化钙、氟化钕、氟化镧、氟化镱、氟化钇、氟化铒、氟化钐、氟化镝、氟化铈、氟化钡、氟化锶、氟化钾、氟化钠等…
硫化物：硫化锌、硫化钼、硫化钙、硫化锑、硫化铁、硫化钠等…



半导体领域应用靶材是世界靶材市场的主要组 成之一。在1991年的世界靶材市场销售额中，有约’"60%为半导体领域应用靶材，35%用于记录介质领 域，5%为显示领域用靶材及其他。近年来，半导体领域应用靶材以近10%的年增长率增长［ 在硅片上制成各种晶体管、二极管等元器件后，根据电路设计要求，将这些元器件用金属薄膜线条连接起来，形成具有各种功能的集成电路的工艺称为金属化。金属化工艺是硅集成电路制造工艺中非常重要的环节。金属化系统和金属化工艺的优劣 会影响电路的电性能和可靠性。
【原创内容】
用户对背靶的检查结果，如我们发现有需要维修的地方会书面通知客户并提供维修报价。影响靶材中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合导致在溅射过程中热量无法散发较终会造成靶材开裂或脱靶为确保足够的导热性，可以在阴极冷却壁与靶材之间加垫一层石墨纸。请注意一定要仔细检查和明确所使用溅射枪冷却壁的平整度，同时确保O型密封圈始终在位置上。四、短路及密封性检查靶材完成安装后需要对整个阴极进行短路检查及密封性检查，建议通过使用电阻仪摇表的方式对阴极是否存在短提供的已使用过的背靶后，我们会首先进行卸靶处理（如适用）并且对背靶进行完全检查，检查的重点包括背靶的平整度，完整性及密封性等。我们会通知用户对背靶的检查结果，如需要进行高温帖合的条件下，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲,所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金气体(氩气或氧气)必须清洁并干燥，溅镀腔内装入基材后便需将空气抽出，达到工艺所要求的真空度。暗区屏蔽罩，腔体壁及邻近表面也需要保持洁净。在清洗真空腔体时我们建议采其是采用金属铟进行帖合的比较容易进行清洁和重新使用。如果是采用其他帖合剂（包括环氧树脂）则可能需要采用机械处理的方式对背靶表面处理后才能重复使用。当我们收到用户